廈門士蘭集宏半導體有限公司
廈門士蘭集宏半導體有限公司（簡稱士蘭集宏）成立于2024年03月06日，注冊資本金：42.1億元，主要生產8英寸SiC功率器件芯片，項目規劃用地面積13.7公頃(約205畝)，建設地點為廈門市海滄區南海路三路999號。
項目規劃總投資120億元人民幣，分兩期建設；其中一期投資70億元人民幣，包括建設廠房等基礎設施，購置生產和動力設備等，建成后形成年產42萬片（月產3.5萬片）8英寸SiC功率器件芯片的生產能力，目前正在進行一期項目建設，廠房和其他建筑物已于2025年2月28日全面封頂，2026年1月4日通線；2026年-2028年持續產能爬坡，預計2029年完全達產。二期項目預計2028年年底前啟動，計劃投資50億元人民幣，建成后將新增年產30萬片（月產2.5萬片）8英寸SiC功率器件芯片的生產能力。一期和二期合計形成年產72萬片（月產6萬片）的產能。
士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片建設項目建成后將滿足國內新能源汽車所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、儲能、充電樁等功率逆變產品提供高性能的碳化硅芯片，同時促進國內 8 吋碳化硅襯底及相關工藝裝備的協同發展。
